NDT02N40T1G
NDT02N40T1G
Modelo do Produto:
NDT02N40T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18279 Pieces
Ficha de dados:
NDT02N40T1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-223 (TO-261)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.5 Ohm @ 220mA, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes:NDT02N40T1GOSDKR
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:NDT02N40T1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:121pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 400V 400mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):400V
Descrição:MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:400mA (Tc)
Email:[email protected]

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