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NE4210S01
- Modelo do Produto:
- NE4210S01
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrição:
- HJ-FET 13DB S01
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18086 Pieces
- Ficha de dados:
- NE4210S01.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Teste: | 2V |
|---|---|
| Tensão - M: | 4V |
| Tipo transistor: | HFET |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SMD |
| Série: | - |
| Potência: | - |
| Embalagem: | Cut Strip |
| Caixa / Gabinete: | 4-SMD |
| Fator de ruído: | 0.5dB |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | NE4210S01 |
| Ganho: | 13dB |
| Freqüência: | 12GHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD |
| Descrição: | HJ-FET 13DB S01 |
| Potência nominal: | 15mA |
| Atual - Teste: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para NE4210S01
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF278/01,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 | inquérito |
 |
MRF7S38010HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 | inquérito |
 |
NE4210S01-T1B | CEL | HJ-FET 13DB S01 | inquérito |
 |
BLF2425M8L140J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | inquérito |
 |
NE5550234-AZ | CEL | FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD | inquérito |
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BLF8G20LS-220J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | inquérito |
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MRF8VP13350GNR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 350W 50V | inquérito |
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MRF9045NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ TO272-2 | inquérito |
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BLS7G2730L-200PU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A | inquérito |
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BLC8G27LS-210PVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | inquérito |
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