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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NID9N05ACLT4G
NID9N05ACLT4G
NID9N05ACLT4G
Modelo do Produto:
NID9N05ACLT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19687 Pieces
Ficha de dados:
NID9N05ACLT4G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA
Vgs (Max):±15V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:90 mOhm @ 9A, 12V
Dissipação de energia (Max):1.74W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NID9N05ACLT4GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:9 Weeks
Número de peça do fabricante:NID9N05ACLT4G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 52V 9A (Ta) 1.74W (Ta) Surface Mount DPAK-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):3V, 12V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):52V
Descrição:MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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