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NP100P06PDG-E1-AY
- Modelo do Produto:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição:
- MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16773 Pieces
- Ficha de dados:
- NP100P06PDG-E1-AY.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NP100P06PDG-E1-AY, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NP100P06PDG-E1-AY por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-263 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | NP100P06PDG-E1-AY |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 15000pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 60V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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