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NSB8DTHE3_A/I
- Modelo do Produto:
- NSB8DTHE3_A/I
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16608 Pieces
- Ficha de dados:
- NSB8DTHE3_A/I.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NSB8DTHE3_A/I, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NSB8DTHE3_A/I por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.1V @ 8A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 200V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-263AB |
| Velocidade: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 30 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | NSB8DTHE3_A/I |
| Descrição expandida: | Diode Standard 200V 8A Surface Mount TO-263AB |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 200V |
| Atual - rectificada média (Io): | 8A |
| Capacitância @ Vr, F: | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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