NSTB60BDW1T1G
NSTB60BDW1T1G
Modelo do Produto:
NSTB60BDW1T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16765 Pieces
Ficha de dados:
NSTB60BDW1T1G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):22k
Power - Max:250mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:NSTB60BDW1T1GOS
NSTB60BDW1T1GOS-ND
NSTB60BDW1T1GOSTR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:NSTB60BDW1T1G
Frequência - Transição:140MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 140MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descrição:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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