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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTB125N02RT4
NTB125N02RT4
NTB125N02RT4
Modelo do Produto:
NTB125N02RT4
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
15412 Pieces
Ficha de dados:
NTB125N02RT4.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:NTB125N02RT4OSCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTB125N02RT4
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3440pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 24V 95A (Ta), 120.5A (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):24V
Descrição:MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:95A (Ta), 120.5A (Tc)
Email:[email protected]

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