NTB25P06
NTB25P06
Modelo do Produto:
NTB25P06
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
15952 Pieces
Ficha de dados:
NTB25P06.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:82 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):120W (Tj)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTB25P06
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:27.5A (Ta)
Email:[email protected]

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