NTD4909NAT4G
NTD4909NAT4G
Modelo do Produto:
NTD4909NAT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13513 Pieces
Ficha de dados:
NTD4909NAT4G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTD4909NAT4G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1314pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Surface Mount DPAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.8A (Ta), 41A (Tc)
Email:[email protected]

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