NTD4965NT4G
NTD4965NT4G
Modelo do Produto:
NTD4965NT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 68A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13871 Pieces
Ficha de dados:
NTD4965NT4G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.7 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.39W (Ta), 38.5W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NTD4965NT4G-ND
NTD4965NT4GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:19 Weeks
Número de peça do fabricante:NTD4965NT4G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1710pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17.2nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 13A (Ta), 68A (Tc) 1.39W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 68A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 68A (Tc)
Email:[email protected]

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