NTF2955PT1G
NTF2955PT1G
Modelo do Produto:
NTF2955PT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12601 Pieces
Ficha de dados:
NTF2955PT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-223
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:185 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTF2955PT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:492pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14.3nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.7A (Ta)
Email:[email protected]

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