NTGD4161PT1G
Modelo do Produto:
NTGD4161PT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19899 Pieces
Ficha de dados:
NTGD4161PT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-TSOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:160 mOhm @ 2.1A, 10V
Power - Max:600mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTGD4161PT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:281pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.1nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 600mW Surface Mount 6-TSOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.5A
Email:[email protected]

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