NTJD5121NT1G
NTJD5121NT1G
Modelo do Produto:
NTJD5121NT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17937 Pieces
Ficha de dados:
NTJD5121NT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Power - Max:250mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:NTJD5121NT1G-ND
NTJD5121NT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:19 Weeks
Número de peça do fabricante:NTJD5121NT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:26pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.9nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:295mA
Email:[email protected]

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