NTJS3151PT2G
NTJS3151PT2G
Modelo do Produto:
NTJS3151PT2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13659 Pieces
Ficha de dados:
NTJS3151PT2G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:400mV @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):625mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:NTJS3151PT2G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.6nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 12V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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