NTLJF3118NTBG
NTLJF3118NTBG
Modelo do Produto:
NTLJF3118NTBG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14766 Pieces
Ficha de dados:
NTLJF3118NTBG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-WDFN (2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTLJF3118NTBG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:271pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrição expandida:N-Channel 20V 2.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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