NTLJS3A18PZTWG
NTLJS3A18PZTWG
Modelo do Produto:
NTLJS3A18PZTWG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16886 Pieces
Ficha de dados:
NTLJS3A18PZTWG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-WDFN (2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTLJS3A18PZTWG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2240pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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