NTLUS4C12NTBG
NTLUS4C12NTBG
Modelo do Produto:
NTLUS4C12NTBG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13516 Pieces
Ficha de dados:
NTLUS4C12NTBG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-UDFN (2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max):630mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UDFN Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:NTLUS4C12NTBG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1172pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 6.8A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

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