NTMD2C02R2G
Modelo do Produto:
NTMD2C02R2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13328 Pieces
Ficha de dados:
NTMD2C02R2G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:43 mOhm @ 4A, 4.5V
Power - Max:2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:NTMD2C02R2GOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTMD2C02R2G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.2A, 3.4A
Email:[email protected]

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