NTMFS4936NT1G
NTMFS4936NT1G
Modelo do Produto:
NTMFS4936NT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8FL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17518 Pieces
Ficha de dados:
NTMFS4936NT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):920mW (Ta), 43W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN, 5 Leads
Outros nomes:NTMFS4936NT1GOSDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:29 Weeks
Número de peça do fabricante:NTMFS4936NT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3044pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 11.6A (Ta), 79A (Tc) 920mW (Ta), 43W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8FL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11.6A (Ta), 79A (Tc)
Email:[email protected]

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