NTMS4503NR2G
Modelo do Produto:
NTMS4503NR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12117 Pieces
Ficha de dados:
NTMS4503NR2G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 14A, 10V
Dissipação de energia (Max):930mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:NTMS4503NR2GOS
NTMS4503NR2GOS-ND
NTMS4503NR2GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTMS4503NR2G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 28V 9A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Escorra a tensão de fonte (Vdss):28V
Descrição:MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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