NTMS4801NR2G
Modelo do Produto:
NTMS4801NR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15805 Pieces
Ficha de dados:
NTMS4801NR2G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):800mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:NTMS4801NR2G-ND
NTMS4801NR2GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:5 Weeks
Número de peça do fabricante:NTMS4801NR2G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2201pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 7.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7.5A (Ta)
Email:[email protected]

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