NTMS4P01R2
Modelo do Produto:
NTMS4P01R2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
13721 Pieces
Ficha de dados:
NTMS4P01R2.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.15V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):790mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:NTMS4P01R2OS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTMS4P01R2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 9.6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 12V 3.4A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.4A (Ta)
Email:[email protected]

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