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NTMSD3P303R2G
- Modelo do Produto:
- NTMSD3P303R2G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14675 Pieces
- Ficha de dados:
- NTMSD3P303R2G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NTMSD3P303R2G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NTMSD3P303R2G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOIC |
| Série: | FETKY™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 730mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | NTMSD3P303R2GOS |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante: | NTMSD3P303R2G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 24V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrição expandida: | P-Channel 30V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.34A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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