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NTMSD6N303R2SG
- Modelo do Produto:
- NTMSD6N303R2SG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16279 Pieces
- Ficha de dados:
- NTMSD6N303R2SG.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOIC |
| Série: | FETKY™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2W (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de operação: | - |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante: | NTMSD6N303R2SG |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 24V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrição expandida: | N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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