NTR5198NLT1G
NTR5198NLT1G
Modelo do Produto:
NTR5198NLT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16775 Pieces
Ficha de dados:
NTR5198NLT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:155 mOhm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):900mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:NTR5198NLT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:30 Weeks
Número de peça do fabricante:NTR5198NLT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:182pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.8nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.7A (Ta)
Email:[email protected]

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