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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTTFS4930NTWG
NTTFS4930NTWG
NTTFS4930NTWG
Modelo do Produto:
NTTFS4930NTWG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13233 Pieces
Ficha de dados:
NTTFS4930NTWG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-WDFN (3.3x3.3)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:23 Weeks
Número de peça do fabricante:NTTFS4930NTWG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:476pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 4.5A (Ta), 23A (Tc) 790mW (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.5A (Ta), 23A (Tc)
Email:[email protected]

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