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NVD5890NT4G-VF01
- Modelo do Produto:
- NVD5890NT4G-VF01
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17484 Pieces
- Ficha de dados:
- NVD5890NT4G-VF01.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NVD5890NT4G-VF01, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NVD5890NT4G-VF01 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DPAK-3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 4W (Ta), 107W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | NVD5807NT4G-VF01 NVD5890NT4G NVD5890NT4G-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 13 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | NVD5890NT4G-VF01 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4760pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 40V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 40V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 24A (Ta), 123A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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