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NVMFS5113PLT1G
- Modelo do Produto:
- NVMFS5113PLT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15988 Pieces
- Ficha de dados:
- NVMFS5113PLT1G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NVMFS5113PLT1G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NVMFS5113PLT1G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 14 mOhm @ 17A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 3.8W (Ta), 150W (Tc) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerTDFN |
| Outros nomes: | NVMFS5113PLT1GOSDKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 29 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | NVMFS5113PLT1G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4400pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 83nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 60V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta), 64A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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