PMDPB38UNE,115
PMDPB38UNE,115
Modelo do Produto:
PMDPB38UNE,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16410 Pieces
Ficha de dados:
PMDPB38UNE,115.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:DFN2020-6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:46 mOhm @ 3A, 4.5V
Power - Max:510mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes:568-10757-2
934066526115
PMDPB38UNE,115-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PMDPB38UNE,115
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:268pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 510mW Surface Mount DFN2020-6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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