PMN35EN,115
PMN35EN,115
Modelo do Produto:
PMN35EN,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19409 Pieces
Ficha de dados:
PMN35EN,115.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-TSOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:31 mOhm @ 5.1A, 10V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Outros nomes:934065376115
PMN35EN115
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PMN35EN,115
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:334pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.1A (Ta)
Email:[email protected]

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