PSMN026-80YS,115
PSMN026-80YS,115
Modelo do Produto:
PSMN026-80YS,115
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19103 Pieces
Ficha de dados:
PSMN026-80YS,115.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:LFPAK56, Power-SO8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:27.5 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):74W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-100, SOT-669
Outros nomes:1727-4278-2
568-4910-2
568-4910-2-ND
934063933115
PSMN02680YS115
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PSMN026-80YS,115
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 80V 34A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição:MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

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