PSMN7R8-120ESQ
PSMN7R8-120ESQ
Modelo do Produto:
PSMN7R8-120ESQ
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18146 Pieces
Ficha de dados:
PSMN7R8-120ESQ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7.9 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):349W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:1727-1509
568-10989-5
568-10989-5-ND
934067449127
PSMN7R8-120ESQ-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:PSMN7R8-120ESQ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9473pF @ 60V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:167nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 120V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):120V
Descrição:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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