R5207ANDTL
R5207ANDTL
Modelo do Produto:
R5207ANDTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15529 Pieces
Ficha de dados:
R5207ANDTL.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:CPT3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):40W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:R5207ANDTL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 525V 7A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):525V
Descrição:MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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