R6015ANX
R6015ANX
Modelo do Produto:
R6015ANX
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19762 Pieces
Ficha de dados:
R6015ANX.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220FM
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:300 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):50W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:R6015ANX
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 15A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:15A (Ta)
Email:[email protected]

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