R6015KNZC8
R6015KNZC8
Modelo do Produto:
R6015KNZC8
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 15A TO3P-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12914 Pieces
Ficha de dados:
R6015KNZC8.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PF
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:290 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):60W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3 Full Pack
Outros nomes:R6015KNZC8TR
R6015KNZC8TR-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Número de peça do fabricante:R6015KNZC8
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:27.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrição expandida:N-Channel 600V 15A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-3PF
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 15A TO3P-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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