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RDD020N60TL
- Modelo do Produto:
- RDD020N60TL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15477 Pieces
- Ficha de dados:
- RDD020N60TL.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | CPT3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | - |
| Dissipação de energia (Max): | 20W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | RDD020N60TL |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 2A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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