RN2965(TE85L,F)
RN2965(TE85L,F)
Modelo do Produto:
RN2965(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12141 Pieces
Ficha de dados:
RN2965(TE85L,F).pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:US6
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):2.2k
Power - Max:200mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:RN2965(TE85LF)DKR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:RN2965(TE85L,F)
Frequência - Transição:200MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Descrição:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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