RP1E100RPTR
RP1E100RPTR
Modelo do Produto:
RP1E100RPTR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18810 Pieces
Ficha de dados:
RP1E100RPTR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:MPT6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12.6 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-SMD, Flat Leads
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:RP1E100RPTR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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