RQ3E070BNTB
Modelo do Produto:
RQ3E070BNTB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14949 Pieces
Ficha de dados:
RQ3E070BNTB.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-HSMT (3.2x3)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:27 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:RQ3E070BNTBDKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RQ3E070BNTB
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:410pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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