RSJ650N10TL
RSJ650N10TL
Modelo do Produto:
RSJ650N10TL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14276 Pieces
Ficha de dados:
RSJ650N10TL.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:LPTS
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9.1 mOhm @ 32.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):100W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-83
Outros nomes:RSJ650N10TLTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Número de peça do fabricante:RSJ650N10TL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10780pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:260nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 65A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:65A (Ta)
Email:[email protected]

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