RSS100N03FU6TB
Modelo do Produto:
RSS100N03FU6TB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17229 Pieces
Ficha de dados:
RSS100N03FU6TB.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:13 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:RSS100N03FU6TB
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1070pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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