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RUE002N05TL
- Modelo do Produto:
- RUE002N05TL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17533 Pieces
- Ficha de dados:
- RUE002N05TL.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | EMT3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 150mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-75, SOT-416 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | RUE002N05TL |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 50V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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