RUM002N02T2L
RUM002N02T2L
Modelo do Produto:
RUM002N02T2L
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15997 Pieces
Ficha de dados:
RUM002N02T2L.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:VMT3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Dissipação de energia (Max):150mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-723
Outros nomes:RUM002N02T2L-ND
RUM002N02T2LTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RUM002N02T2L
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 2.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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