RUS100N02TB
Modelo do Produto:
RUS100N02TB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15015 Pieces
Ficha de dados:
RUS100N02TB.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12 mOhm @ 10A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:RUS100N02TBTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Número de peça do fabricante:RUS100N02TB
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2250pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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