RZF013P01TL
RZF013P01TL
Modelo do Produto:
RZF013P01TL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13508 Pieces
Ficha de dados:
RZF013P01TL.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TUMT3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):800mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-SMD, Flat Leads
Outros nomes:RZF013P01TLTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RZF013P01TL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.3A (Ta)
Email:[email protected]

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