RZM002P02T2L
RZM002P02T2L
Modelo do Produto:
RZM002P02T2L
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17433 Pieces
Ficha de dados:
RZM002P02T2L.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:VMT3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):150mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-723
Outros nomes:RZM002P02T2L-ND
RZM002P02T2LTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RZM002P02T2L
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:115pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.4nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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