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SB1100E-G
- Modelo do Produto:
- SB1100E-G
- Fabricante:
- Comchip Technology
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18336 Pieces
- Ficha de dados:
- SB1100E-G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SB1100E-G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SB1100E-G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 850mV @ 1A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 100V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-41 |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Outros nomes: | 641-1412-1 |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SB1100E-G |
| Descrição expandida: | Diode Schottky 100V 1A Through Hole DO-41 |
| Tipo Diode: | Schottky |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 500µA @ 100V |
| Atual - rectificada média (Io): | 1A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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