SI1054X-T1-GE3
SI1054X-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI1054X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17638 Pieces
Ficha de dados:
SI1054X-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-89-6
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:95 mOhm @ 1.32A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):236mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:SI1054X-T1-GE3TR
SI1054XT1GE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SI1054X-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:480pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.57nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 12V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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