SI3879DV-T1-GE3
SI3879DV-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI3879DV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16158 Pieces
Ficha de dados:
SI3879DV-T1-GE3.pdf

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SI3879DV-T1-GE3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SI3879DV-T1-GE3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar SI3879DV-T1-GE3 com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-TSOP
Série:LITTLE FOOT®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta), 3.3W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SI3879DV-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:480pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 5A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações