SI3905DV-T1-E3
SI3905DV-T1-E3
Modelo do Produto:
SI3905DV-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19353 Pieces
Ficha de dados:
SI3905DV-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:450mV @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-TSOP
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:125 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power - Max:1.15W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SI3905DV-T1-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):8V
Descrição:MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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